成都公司：成都市成华区建设南路160号1层9号
重庆公司：重庆市江北区红旗河沟华创商务大厦18楼
SMD 件基本知识DRAM（Dynamic Raclom Accss Memory 动态随机存储
1、种类：
FP DRAM （快速掩模式DRAM）
EDO DRAM （ExtendData-Output）
SDRAM （同步DRAM）
SGRAM （同步图形RAM）
2、表征DRAM：
规格：
①容量V53C16256HK-50表示16bit256K单元,即512Kbye，故两粒为1MB。
算法（256K×16）÷8=512K=0.5Mbyte 注：1M=1024K
②-50表示存取时间为50ns，ns 为纳秒，有些DRAM用频率（MHZ）表示速度。
注：1秒=109纳秒
③厂牌及能源批号：*使用在同一产品上的DRAM，必须种类相同、规格、厂牌相同并尽量要求能源批号也相同。
不同厂牌、种类、规格的DRAM要分批注明及移转。
3、常见DRAM的厂牌及标记：
本站推荐
相关推荐
-
浪费（Muda）2025-09-17 07:36:00
-
对浪费（Muda）的重新认识2025-09-17 07:35:53
-
维持与改善理念与实施--SDCA&PDCA
2025-09-17 07:29:54
-
Master Production Schedule（主生产排程MPS）2025-09-17 07:15:01
-
Hierarchical production planning（科层式生产计划 HPP）2025-09-17 07:11:53
-
精益生产方式（Lean Manufacture）2025-09-17 07:11:52
最新文章
-
波峰焊机工作流程及操作方法2025-09-17 08:48:02
-
管理政策与制造控制
2025-09-17 08:48:01
-
SMD 件基本知识（芯片）
2025-09-17 08:48:00
-
焊接设备（回焊炉）
2025-09-17 08:47:59
-
库存控制与能源控制之间的关系
2025-09-17 08:47:58
-
SMD 件基本知识DRAM（Dynamic Raclom Accss Memory 动态随机存储
2025-09-17 08:47:57