技术创新开启绿色存储时代

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　　技术创新实现突破

　　三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制，开创了内存存储器制造技术的新纪元。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构成，而DRAM则由一个电容器和一个晶体管串联构成，因此后者更难实现制程技术的微细化。然而，三星电子通过对芯片设计和制程技术的改良，创新性地研发出改良版双重照片曝光技术（Modified Double Patterning）和超薄介电层成型技术（Atomic layer deposition），顺利实现了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产。

　　改良版双重照片曝光技术仅利用现有的光刻机设备即可生产20纳米DDR3 DRAM，同时为下一代10纳米级DRAM的量产做了核心技术储备。电容器单元的介电层不仅超薄，而且前所未有的排列均衡，确保了基本存储单元的优越性能。

　　在这些新技术的基础上，新一代20纳米DDR3 DRAM的生产率比25纳米DDR3 DRAM提高了30%以上，更比30纳米级DDR3提高了超过一倍。由于DRAM芯片通过切割大小相同的晶圆制造而成，线的直径越小，芯片就越小，同样的材料和时间就能制作出更多芯片。基于20纳米的DDR3 DRAM更大的优点在于节省用电，电路越纤细，所耗电力越少，20纳米DRAM模组的耗电量相比基于25纳米DDR3降低了25%，从而可以为信息技术企业提供更优质的超节能绿色信息技术解决方案。

　　展示实力扩大领先优势

　　三星电子此次量产20纳米4Gb DDR3 DRAM的另一成功要素是充分利用原有设备量产新产品。要开发新的微细工艺，置办一系列生产设备，需要投入数千亿韩元乃至数万亿韩元资金。但三星电子通过独家改良勾画半导体线路的光刻技术，找到了可以有效利用原有设备的途径。而这对于半导体企业来说至关重要，因为三星电子曾经的竞争者尔必达、茂德、力晶、南亚科技都因为难以承受新工厂、新机器高达数十亿美元的前期投入而不得不陆续退出市场竞争。

　　三星电子成功量产20纳米4Gb DDR3 DRAM之后，将进一步拉大与竞争企业之间的差距，展示其在半导体领域的主导地位。市场调查企业DRAM eXchange公布的数据显示，三星电子2013年在全球DRAM市场的份额为36.7%，在Nand闪存市场的份额为38.4%，在存储芯片市场稳固占据着第一的位置。截至2000年代末，DRAM市场还是韩国企业、日本尔必达、德国奇梦达、美国美光、台湾南亚与力晶等共同角逐的舞台。其中，德国奇梦达和台湾力晶等企业因为用低于成本价的价格进行“出血竞争”，最终于2010年前后宣告破产。日本尔必达也在2013年破产，企业名称由尔必达变为美光日本。目前，在存储芯片市场上，只有SK海力士和美国美光依然没有放松追击三星电子的脚步。

　　面向未来持续推进研发

　　业界认为，量产20纳米级DRAM将使三星进一步强化行业主导权。包括日本工厂在内，美光2013年第四季度20纳米生产工程的比重也只占整体的21%，大幅落后于三星电子（68%）和SK海力士（63%），差距在两年以上。韩国产业研究院研究报告显示，相较于已经停滞的电脑市场，量产的20纳米DRAM将主攻成长势头强劲的手机设备市场。随着移动设备市场的扩大，三星电子半导体部门的业绩也会大幅上升。

　　三星电子存储芯片事业部战略营销部门负责人全永铉表示，将低耗电的20纳米DRAM用到电池容量有限的智能手机或平板电脑上，可以提高设备效率，由于售价相对较高，利润空间也相对较大。其将在包括电脑和移动市场在内的信息技术领域迅速站稳脚跟，并进一步占据主流地位。今后，三星电子将继续领先竞争对手推出下一代大容量DRAM和绿色存储方案，为世界信息技术市场的快速增长做出贡献。全永铉表示，三星电子将在未来致力于研发10纳米级的新一代DRAM产品，突破半导体技术的瓶颈，持续推进存储器市场的发展。